Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A VISHAY
Prekės kodas: SI1077X-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-08-01 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 3000 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SI1077X-T1-GE3
Supplier's product code
SI1077X-T1-GE3
Product ID
U-3127367
Case
SC89
Drain current
-1.75A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
31.1nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
188mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.33W
Pulsed drain current
-8A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
