Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA ONSEMI
Prekės kodas: MMBFJ309LT1G
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-11-28 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 5798 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA ONSEMI
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Supplier's product code
MMBFJ309LT1G
Product ID
U-261530
Product code
MMBFJ309LT1G
Case
SOT23
Drain current
30mA
Drain-source voltage
25V
Gate current
10mA
Gate-source voltage
25V
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.225W
Type of transistor
N-JFET
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
