Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A VISHAY

Номер продукта: SQ4940AEY-T1-GE3
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-4
1.40
5-24
1.26
25-99
1.13
100-499
1.01
500+
0.93
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

1.40
2024-07-11 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-07-11 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно450 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 30,00 €

(Заказы до 3 кг)

2,99 €

К 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,59 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

1,99 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A VISHAY

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-2386367
Марка
NomNr
SQ4940AEY-T1-GE3

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
SQ4940AEY-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SQ4940AEY-T1-GE3
Product ID
U-2386367
Application
automotive industry
Case
SO8
Drain current
5.3A
Drain-source voltage
40V
Gate charge
43nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
29mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Pulsed drain current
32A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET x2
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].