LEMONA

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A VISHAY

Prekės kodas: SQ4940AEY-T1-GE3
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-4
1.401.40
5-24
1.26
25-99
1.13
100-499
1.01
500+
0.93
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

1.40
2024-11-25 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-11-25 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra448 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A VISHAY

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2386367
Prekinis ženklas
Prekės kodas
SQ4940AEY-T1-GE3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
SQ4940AEY-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SQ4940AEY-T1-GE3
Product ID
U-2386367
#Promotion
aac_202202
Application
automotive industry
Case
SO8
Drain current
5.3A
Drain-source voltage
40V
Gate charge
43nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
29mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Pulsed drain current
32A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET x2
Unit price
No
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].