Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A YANGJIE TECHNOLOGY
Номер продукта: YJQ15GP10A-YAN
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A YANGJIE TECHNOLOGY
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
YJQ15GP10A-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJQ15GP10A-YAN
Product ID
U-2217003
Case
DFN3.3x3.3 EP
Drain current
-9.5A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
3.98nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
17.2W
Pulsed drain current
-45A
Technology
SPLIT GATE TRENCH
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
Данный товар отсутствует.