Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A YANGJIE TECHNOLOGY
Prekės kodas: YJQ15GP10A-YAN
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A YANGJIE TECHNOLOGY
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
YJQ15GP10A-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJQ15GP10A-YAN
Product ID
U-2217003
Case
DFN3.3x3.3 EP
Drain current
-9.5A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
3.98nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
17.2W
Pulsed drain current
-45A
Technology
SPLIT GATE TRENCH
Type of transistor
P-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
