LEMONA

Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A YANGJIE TECHNOLOGY

Prekės kodas: YJQ15GP10A-YAN
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Atsiprašome, prekės nebeturime.

Rekomenduojame rinktis iš:

Kitos prekės šioje kategorijoje

Pristatymo terminai

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A YANGJIE TECHNOLOGY

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2217003
Prekinis ženklas
Prekės kodas
YJQ15GP10A-YAN

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
YJQ15GP10A-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJQ15GP10A-YAN
Product ID
U-2217003
Case
DFN3.3x3.3 EP
Drain current
-9.5A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
3.98nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
17.2W
Pulsed drain current
-45A
Technology
SPLIT GATE TRENCH
Type of transistor
P-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].