Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3 ONSEMI
Номер продукта: FDP2D3N10C
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3 ONSEMI
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3
Параметры товара поставщика
Product code
FDP2D3N10C
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDP2D3N10C
Product ID
U-2412921
Case
TO220-3
Drain current
157A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
152nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
2.3mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
214W
Pulsed drain current
888A
Technology
PowerTrench®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
