Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263 PanJit Semiconductor
Номер продукта: PJMB210N65EC-R2
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263 PanJit Semiconductor
Спецификации
Артикул
U-3139347
NomNr
PJMB210N65EC-R2
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Параметры товара поставщика
Product code
PJMB210N65EC-R2
Supplier's product code
PJMB210N65EC-R2
Product ID
U-3139347
Case
TO263
Drain current
19A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
34nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
0.21Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
150W
Pulsed drain current
42A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
