Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263 PanJit Semiconductor
Prekės kodas: PJMB210N65EC-R2
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263 PanJit Semiconductor
Specifikacijos
SKU
U-3139347
Prekės kodas
PJMB210N65EC-R2
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Tiekėjo specifikacijos
Product code
PJMB210N65EC-R2
Supplier's product code
PJMB210N65EC-R2
Product ID
U-3139347
Case
TO263
Drain current
19A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
34nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
0.21Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
150W
Pulsed drain current
42A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
