Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK ROHM SEMICONDUCTOR
Номер продукта: R6009JNJGTL
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK
Параметры товара поставщика
Case
D2PAK
Drain current
9A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
22nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
585mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Pulsed drain current
27A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Product code
R6009JNJGTL
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
R6009JNJGTL
Product ID
U-2966107
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
