Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W BRIDGELUX
Номер продукта: BXW10M1K2H
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
BXW10M1K2H
Brand
BRIDGELUX
Supplier's product code
BXW10M1K2H
Product ID
U-2590570
Case
TO247-3
Drain current
10A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
29nC
Gate-source voltage
-3...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
BRIDGELUX
Mounting
THT
On-state resistance
610mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
80.6W
Pulsed drain current
40A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
