Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W NEXPERIA
Номер продукта: NSF040120L3A0Q
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-08-01 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 27 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
NSF040120L3A0Q
Product ID
U-3792416
Case
TO247-3
Drain current
46A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
95nC
Gate-source voltage
-10...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
60mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
313W
Pulsed drain current
160A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
NSF040120L3A0Q
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
