LEMONA

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W NEXPERIA

Prekės kodas: NSF040120L3A0Q
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
47.90
3-9
43.21
10-29
38.13
30+
34.19
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

47.90
2024-08-09 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-08-09 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

NėraNėra

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W NEXPERIA

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-3792416
Prekinis ženklas
Prekės kodas
NSF040120L3A0Q

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
NSF040120L3A0Q
Product ID
U-3792416
Case
TO247-3
Drain current
46A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
95nC
Gate-source voltage
-10...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
60mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
313W
Pulsed drain current
160A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
NSF040120L3A0Q
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].