Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W WeEn Semiconductors
Номер продукта: WNSC2M40120R6Q
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W WeEn Semiconductors
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Brand
WeEn Semiconductors
Supplier's product code
WNSC2M40120R6Q
Product ID
U-3092771
Case
TO247-4
Drain current
52A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
19nC
Gate-source voltage
-12...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
WeEn Semiconductors
Mounting
THT
On-state resistance
55mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
405W
Pulsed drain current
100A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
WNSC2M40120R6Q
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
