Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W WeEn Semiconductors
Prekės kodas: WNSC2M40120R6Q
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W WeEn Semiconductors
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Brand
WeEn Semiconductors
Supplier's product code
WNSC2M40120R6Q
Product ID
U-3092771
Case
TO247-4
Drain current
52A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
19nC
Gate-source voltage
-12...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
WeEn Semiconductors
Mounting
THT
On-state resistance
55mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
405W
Pulsed drain current
100A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
WNSC2M40120R6Q
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
