Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Номер продукта: G3R30MT12J
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-2721685
NomNr
G3R30MT12J
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
G3R30MT12J
Supplier's product code
G3R30MT12J
Product ID
U-2721685
Case
TO263-7
Drain current
68A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
155nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
30mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
459W
Pulsed drain current
200A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
