Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W GeneSiC SEMICONDUCTOR

Номер продукта: G3R30MT12J
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49 €

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39 €

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W GeneSiC SEMICONDUCTOR

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-2721685
NomNr
G3R30MT12J

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
G3R30MT12J
Supplier's product code
G3R30MT12J
Product ID
U-2721685
Case
TO263-7
Drain current
68A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
155nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
30mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
459W
Pulsed drain current
200A
Technology
G3R™
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].