LEMONA

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W GeneSiC SEMICONDUCTOR

Prekės kodas: G3R30MT12J
no gallery
no gallery
Daugiau panašių prekių

Atsiprašome, prekės nebeturime.

Rekomenduojame rinktis iš:

Kitos prekės šioje kategorijoje

Pristatymo terminai

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W GeneSiC SEMICONDUCTOR

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2721685
Prekės kodas
G3R30MT12J

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
G3R30MT12J
Supplier's product code
G3R30MT12J
Product ID
U-2721685
Case
TO263-7
Drain current
68A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
155nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
30mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
459W
Pulsed drain current
200A
Technology
G3R™
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].