Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; SC70 VISHAY
Номер продукта: SI1308EDL-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-07-18 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2646 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; SC70
Параметры товара поставщика
Product code
SI1308EDL-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI1308EDL-T1-GE3
Product ID
U-3126024
Case
SC70
Drain current
1.4A
Drain-source voltage
30V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
4.1nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
132mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.3W
Pulsed drain current
6A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
