Сроки доставки
2024-11-04 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
1936 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Параметры товара поставщика
Product code
SI2319DS-T1-GE3
Supplier's product code
SI2319DS-T1-GE3
Product ID
U-3822828
Case
SOT23
Drain current
-3A
Drain-source voltage
-40V
Gate charge
17nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.13Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.25W
Pulsed drain current
-12A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Unit price
No
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].