Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; Idm: -0.65A; 0.13W VISHAY
Номер продукта: SI1025X-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; Idm: -0.65A; 0.13W
Параметры товара поставщика
Product code
SI1025X-T1-GE3
Supplier's product code
SI1025X-T1-GE3
Product ID
U-3024515
Case
SC89
Drain current
-0.19A
Drain-source voltage
-60V
Gate charge
1.7nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.13W
Pulsed drain current
-0.65A
Type of transistor
P-MOSFET
Version
ESD
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
