Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; Idm: -0.65A; 0.13W VISHAY
Prekės kodas: SI1025X-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; Idm: -0.65A; 0.13W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SI1025X-T1-GE3
Supplier's product code
SI1025X-T1-GE3
Product ID
U-3024515
Case
SC89
Drain current
-0.19A
Drain-source voltage
-60V
Gate charge
1.7nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.13W
Pulsed drain current
-0.65A
Type of transistor
P-MOSFET
Version
ESD
Brand
VISHAY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
