Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -0.4A; 150mW ROHM SEMICONDUCTOR
Номер продукта: UM6J1NTN
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -0.4A; 150mW
Параметры товара поставщика
Product code
UM6J1NTN
Case
UMT6
Drain current
-200mA
Drain-source voltage
-30V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
2.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.15W
Pulsed drain current
-0.4A
Type of transistor
P-MOSFET x2
Unit price
No
Version
ESD
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
UM6J1NTN
Product ID
U-2966501
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
