Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -0.4A; 150mW ROHM SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: UM6J1NTN
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -0.4A; 150mW
Tiekėjo specifikacijos
Product code
UM6J1NTN
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
UM6J1NTN
Product ID
U-2966501
Case
UMT6
Drain current
-0.2A
Drain-source voltage
-30V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
2.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.15W
Pulsed drain current
-0.4A
Type of transistor
P-MOSFET x2
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
