Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 4A SEMIKRON DANFOSS
Prekės kodas: SKIIP10NAB12T4V1
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 4A SEMIKRON DANFOSS
Naudinga informacija
Specifikacijos
SKU
U-326880
Prekės kodas
SKIIP10NAB12T4V1
Tiekėjo prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 4A
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Application
for UPS
Case
MiniSKiiP® 1
Collector current
4A
Electrical mounting
Press-Fit
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
SEMIKRON DANFOSS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
12A
Semiconductor structure
diode/transistor
Type of module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Product code
SKIIP10NAB12T4V1
Supplier's product code
SKIIP10NAB12T4V1
Product ID
U-326880
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
