LEMONA

Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A Qorvo (UnitedSiC)

Prekės kodas: UJ3C065080B3
no gallery
no gallery
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
20.70
3-9
19.18
10-29
17.67
30+
16.92
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

20.70
2024-07-18 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-07-18 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra1 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A Qorvo (UnitedSiC)

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-368322
Prekės kodas
UJ3C065080B3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
UJ3C065080B3
Case
D2PAK
Drain current
18.2A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
51nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of transistor
cascode
Manufacturer
Qorvo (UnitedSiC)
Mounting
SMD
On-state resistance
80mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
115W
Pulsed drain current
65A
Technology
SiC
Type of transistor
N-JFET/N-MOSFET
Supplier's product code
UJ3C065080B3
Product ID
U-368322
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].