Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A INFINEON TECHNOLOGIES
Prekės kodas: IGOT60R070D1AUMA1
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A INFINEON TECHNOLOGIES
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
IGOT60R070D1AUMA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IGOT60R070D1AUMA1
Product ID
U-215178
Case
PG-DSO-20
Drain current
31A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
5.8nC
Gate current
20mA
Gate-source voltage
-10V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Kind of transistor
HEMT
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
70mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Pulsed drain current
60A
Technology
CoolGaN™
Type of transistor
N-JFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].