Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A INFINEON TECHNOLOGIES
Prekės kodas: IGT60R190D1SATMA1
Pristatymo terminai
2024-08-16 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 7 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
IGT60R190D1SATMA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IGT60R190D1SATMA1
Product ID
U-215194
Case
PG-HSOF-8-3
Drain current
12.5A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
3.2nC
Gate current
7.7mA
Gate-source voltage
-10V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Kind of transistor
HEMT
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
0.19Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
55.5W
Pulsed drain current
23A
Technology
CoolGaN™
Type of transistor
N-JFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
