Pristatymo terminai
2025-04-07 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 18 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD VISHAY
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Case
DPAK
Drain current
1.8A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
10.5nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhancement
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
2.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
62.5W
Pulsed drain current
3.6A
Type of transistor
N-MOSFET
Version
ESD
Product code
SIHD2N80AE-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHD2N80AE-GE3
Product ID
U-1900562
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].