Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3 ONSEMI
Prekės kodas: FDN352AP
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-12-03 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 2232 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3 ONSEMI
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Supplier's product code
FDN352AP
Product ID
U-187010
Case
SuperSOT-3
Drain current
-1.3A
Drain-source voltage
-30V
Features of semiconductor devices
logic level
Gate charge
1.9nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
0.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.5W
Technology
PowerTrench®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Product code
FDN352AP
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
