LEMONA

Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V NEXPERIA

Prekės kodas: GAN041-650WSBQ
Nuotrauka yra tik iliustracija. Tikslias produkto specifikacijas rasite aprašyme.
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
37.7637.76
3-9
33.81
10-29
29.87
30+
27.05
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

37.76
2025-05-07 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2025-05-07 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra17 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V NEXPERIA

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2326713
Prekinis ženklas
Prekės kodas
GAN041-650WSBQ

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
GAN041-650WSBQ
Case
TO247
Drain current
33.4A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
22nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of package
tube
Kind of transistor
cascode
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
THT
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
187W
Pulsed drain current
240A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET/N-MOSFET
Supplier's product code
GAN041-650WSBQ
Product ID
U-2326713
Brand
NEXPERIA
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].