LEMONA

Module; single transistor; 1.2kV; 110A; SOT227B; screw; Idm: 400A DACO Semiconductor

Prekės kodas: DACMI160N1200-DCO
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
266.79
3+
239.93
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

266.79
2024-10-08 Numatomas pristatymas užsakius dabar
atsiskaitykite su
per 3 mėn. po 88.93 € be pabrangimo
per 24 mėn. po 15.58 €
Pavyzdžiui, skolinantis 266.79 €, kai sutartis sudaroma 24 mėn. terminui, metinė palūkanų norma – 26,9%, sutarties sudarymo mokestis - 0%, mėnesio sutarties mokestis – 0,41%, BVKKMN – 40,89%, bendra mokėtina suma – 373.92 €, mėnesio įmoka – 15.58 €.

Pristatymo terminai

2024-10-08 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra3 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Module; single transistor; 1.2kV; 110A; SOT227B; screw; Idm: 400A DACO Semiconductor

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-159611
Prekinis ženklas
Prekės kodas
DACMI160N1200-DCO

Tiekėjo prekės aprašymas

Module; single transistor; 1.2kV; 110A; SOT227B; screw; Idm: 400A

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
DACMI160N1200-DCO
Brand
DACO Semiconductor
Supplier's product code
DACMI160N1200-DCO
Product ID
U-159611
#Promotion
aac_202202
Case
SOT227B
Drain current
110A
Drain-source voltage
1.2kV
Electrical mounting
screw
Gate-source voltage
-5...20V
Manufacturer
DACO Semiconductor
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
20mΩ
Operating temperature
-55...150°C
Polarisation
unipolar
Power dissipation
580W
Pulsed drain current
400A
Semiconductor structure
single transistor
Technology
SiC
Type of module
MOSFET transistor
Unit price
No
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].