Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A IXYS

Name: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A IXYS
Brand: IXYS
SKU: U-220718
Price: 169.26 EUR
Availability: InStock

Prekės kodas: IXFN110N85X

Prekinis ženklas

IXYS

Daugiau panašių prekių

Ieškoti "Module single"

Kainų ribos

Kiekis	Kaina su PVM (vnt.)
1-2	€169.26
3-9	€149.53
10+	€134.31
didmeninis

2024-08-21 Numatomas pristatymas užsakius dabar

atsiskaitykite su

per 3 mėn. po 56.41 € be pabrangimo

per 24 mėn. po 9.88 €

Pavyzdžiui, skolinantis 169.26 €, kai sutartis sudaroma 24 mėn. terminui, metinė palūkanų norma – 26,9%, sutarties sudarymo mokestis - 0%, mėnesio sutarties mokestis – 0,41%, BVKKMN – 40,79%, bendra mokėtina suma – 237.12 €, mėnesio įmoka – 9.88 €.

Pristatymo terminai

2024-08-21 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

9 vnt.

Tiekėjo sandėlis

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas

IXYS

Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A IXYS

Naudinga informacija

Instrukcija

Specifikacijos

SKU

U-220718

Prekinis ženklas

IXYS

Prekės kodas

IXFN110N85X

Tiekėjo prekės aprašymas

Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A

Naudinga informacija

Instrukcija

Tiekėjo specifikacijos

NomNr

IXFN110N85X

Brand

IXYS

Supplier's product code

IXFN110N85X

Product ID

U-220718

Case

SOT227B

Drain current

110A

Drain-source voltage

850V

Electrical mounting

screw

Gate charge

425nC

Gate-source voltage

±40V

Kind of channel

enhanced

Manufacturer

IXYS

Mechanical mounting

screw

On-state resistance

33mΩ

Polarisation

unipolar

Power dissipation

1170W

Pulsed drain current

220A

Reverse recovery time

205ns

Semiconductor structure

single transistor

Technology

HiPerFET™

Type of module

MOSFET transistor

Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].