LEMONA
Registruotis

Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W IXYS

Prekės kodas: IXFN26N100P
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
€113.65
3-9
€100.31
10+
€90.17
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

€113.65
2024-09-19 Numatomas pristatymas užsakius dabar
atsiskaitykite su
per 3 mėn. po 37.88 € be pabrangimo
per 24 mėn. po 6.64 €
Pavyzdžiui, skolinantis 113.65 €, kai sutartis sudaroma 24 mėn. terminui, metinė palūkanų norma – 26,9%, sutarties sudarymo mokestis - 0%, mėnesio sutarties mokestis – 0,41%, BVKKMN – 41,02%, bendra mokėtina suma – 159.36 €, mėnesio įmoka – 6.64 €.

Pristatymo terminai

2024-09-19 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra6 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W IXYS

Naudinga informacija

Specifikacijos

SKU
U-220741
Prekinis ženklas
Prekės kodas
IXFN26N100P

Tiekėjo prekės aprašymas

Module; single transistor; 1kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 65A; 595W

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

NomNr
IXFN26N100P
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXFN26N100P
Product ID
U-220741
Case
SOT227B
Drain current
23A
Drain-source voltage
1kV
Electrical mounting
screw
Gate charge
197nC
Gate-source voltage
±40V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
390mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
595W
Pulsed drain current
65A
Reverse recovery time
300ns
Semiconductor structure
single transistor
Technology
HiPerFET™
Type of module
MOSFET transistor
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
Peržiūrėtos prekės