LEMONA
Registruotis

Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A IXYS

Prekės kodas: IXFN26N120P
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
€117.22
3-9
€103.51
10+
€92.99
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

€117.22
2024-07-30 Numatomas pristatymas užsakius dabar
atsiskaitykite su
per 3 mėn. po 39.07 € be pabrangimo
per 24 mėn. po 6.84 €
Pavyzdžiui, skolinantis 117.22 €, kai sutartis sudaroma 24 mėn. terminui, metinė palūkanų norma – 26,9%, sutarties sudarymo mokestis - 0%, mėnesio sutarties mokestis – 0,41%, BVKKMN – 40,66%, bendra mokėtina suma – 164.16 €, mėnesio įmoka – 6.84 €.

Pristatymo terminai

2024-07-30 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra7 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A IXYS

Naudinga informacija

Specifikacijos

SKU
U-220742
Prekinis ženklas
Prekės kodas
IXFN26N120P

Tiekėjo prekės aprašymas

Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

NomNr
IXFN26N120P
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXFN26N120P
Product ID
U-220742
Case
SOT227B
Drain current
23A
Drain-source voltage
1.2kV
Electrical mounting
screw
Gate charge
255nC
Gate-source voltage
±40V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
0.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
695W
Pulsed drain current
60A
Reverse recovery time
300ns
Semiconductor structure
single transistor
Technology
HiPerFET™
Type of module
MOSFET transistor
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
Peržiūrėtos prekės