Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88 TAIWAN SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: TSG65N110CE-RVG
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88 TAIWAN SEMICONDUCTOR
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88
Tiekėjo specifikacijos
Product code
TSG65N110CE-RVG
Brand
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
TSG65N110CE-RVG
Product ID
U-4157843
Case
PDFN88
Drain current
18A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
4nC
Gate-source voltage
-10...7V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Kind of transistor
HEMT
Manufacturer
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
0.11Ω
Polarisation
unipolar
Pulsed drain current
35A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET
Unit price
No
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
