Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W BASiC SEMICONDUCTOR
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
B2M035120YP
Supplier's product code
B2M035120YP
Product ID
U-3054955
Case
TO247PLUS-4
Drain current
60A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
115nC
Gate-source voltage
-4...18V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
375W
Pulsed drain current
190A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].