LEMONA

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S ROHM SEMICONDUCTOR

Prekės kodas: RF4E100AJTCR
no gallery
no gallery
ROYAL OHM
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-9
0.84
10-99
0.69
100-499
0.53
500-2999
0.47
3000+
0.44
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

0.84
2024-09-09 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-09-09 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra2989 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

ROYAL OHM
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S ROHM SEMICONDUCTOR

Specifikacijos

SKU
U-2737065
Prekinis ženklas
Prekės kodas
RF4E100AJTCR

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S

Tiekėjo specifikacijos

Product code
RF4E100AJTCR
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
RF4E100AJTCR
Product ID
U-2737065
Case
DFN2020-8S
Drain current
10A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
13nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
12.4mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
36A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].