Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: GD10PJX65F1S
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 25 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A STARPOWER SEMICONDUCTOR
Specifikacijos
SKU
U-2964918
Prekės kodas
GD10PJX65F1S
Tiekėjo prekės aprašymas
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
GD10PJX65F1S
Case
F1.1
Collector current
10A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
650V
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
20A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Trench FS IGBT
Type of module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Supplier's product code
GD10PJX65F1S
Product ID
U-2964918
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
