Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW TOSHIBA
Prekės kodas: 2SK3475
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-07-24 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 77 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
2SK3475
Case
SOT89
Drain current
1A
Drain-source voltage
20V
Efficiency
45%
Electrical mounting
SMT
Frequency
520MHz
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
depleted
Kind of package
tape
Kind of transistor
RF
Manufacturer
TOSHIBA
Open-loop gain
14.9dB
Output power
630mW
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3W
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
TOSHIBA
Supplier's product code
2SK3475
Product ID
U-80356
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
