Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 INFINEON TECHNOLOGIES
Prekės kodas: BSC100N06LS3GATMA1
Pristatymo terminai
2024-10-10 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 2051 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
BSC100N06LS3GATMA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
BSC100N06LS3GATMA1
Product ID
U-133027
#Promotion
aac_202202
Case
PG-TDSON-8
Drain current
36A
Drain-source voltage
60V
Features of semiconductor devices
logic level
Gate charge
45nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
10mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
50W
Pulsed drain current
200A
Technology
OptiMOS™ 3
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
