Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK ONSEMI
Prekės kodas: FDB047N10
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK ONSEMI
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK
Tiekėjo specifikacijos
Product code
FDB047N10
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDB047N10
Product ID
U-2329711
Case
D2PAK
Drain current
164A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
0.21µC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
4.7mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
375W
Pulsed drain current
656A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
