Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 5A; 960mW ONSEMI
Prekės kodas: FDC8602
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 5A; 960mW ONSEMI
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 5A; 960mW
Tiekėjo specifikacijos
Product code
FDC8602
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDC8602
Product ID
U-2349835
Case
SuperSOT-6
Drain current
1.2A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
0.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.96W
Pulsed drain current
5A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
