Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK ONSEMI
Prekės kodas: FDD3860
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-08-29 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 1829 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK ONSEMI
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
Tiekėjo specifikacijos
Product code
FDD3860
Supplier's product code
FDD3860
Product ID
U-2412867
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Case
DPAK
Drain current
6.2A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
31nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
64mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
83W
Pulsed drain current
60A
Technology
PowerTrench®
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
