Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A SHINDENGEN
Prekės kodas: P0R5B60HP2-5071
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-09-12 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 2979 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A SHINDENGEN
Naudinga informacija
Specifikacijos
SKU
U-1937078
Prekės kodas
P0R5B60HP2-5071
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
P0R5B60HP2-5071
Supplier's product code
P0R5B60HP2-5071
Product ID
U-1937078
Case
FB (TO252AA)
Drain current
0.5A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
4.3nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
SMD
On-state resistance
10Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
35W
Pulsed drain current
2A
Technology
Hi-PotMOS2
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
