Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W YANGJIE TECHNOLOGY
Prekės kodas: YJG15N15B-YAN
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W YANGJIE TECHNOLOGY
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
YJG15N15B-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJG15N15B-YAN
Product ID
U-1928818
Case
DFN5x6
Drain current
15A
Drain-source voltage
150V
Gate charge
11.6nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
75mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
29W
Pulsed drain current
50A
Technology
SPLIT GATE TRENCH
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
