Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W YANGJIE TECHNOLOGY
Prekės kodas: YJQ35G10A-YAN
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W YANGJIE TECHNOLOGY
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
YJQ35G10A-YAN
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
YJQ35G10A-YAN
Product ID
U-1928821
Case
DFN3.3x3.3
Drain current
35A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
20nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
20mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
54W
Pulsed drain current
120A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
