LEMONA

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3 MICROCHIP (MICROSEMI)

Prekės kodas: APT7M120B
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
16.65
3-9
14.95
10+
13.20
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

16.65
2024-07-11 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-07-11 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra20 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3 MICROCHIP (MICROSEMI)

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-1905942
Prekinis ženklas
Prekės kodas
APT7M120B

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
APT7M120B
Supplier's product code
APT7M120B
Product ID
U-1905942
Case
TO247-3
Drain current
5A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
80nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
2.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
335W
Pulsed drain current
28A
Technology
POWER MOS 8®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
MICROCHIP
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].