Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW PanJit Semiconductor
Prekės kodas: PJC7476-R1
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-07-11 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 2984 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW PanJit Semiconductor
Specifikacijos
SKU
U-3139329
Prekės kodas
PJC7476-R1
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Tiekėjo specifikacijos
Product code
PJC7476-R1
Supplier's product code
PJC7476-R1
Product ID
U-3139329
Case
SOT323
Drain current
0.3A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
1.8nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
9Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.35W
Pulsed drain current
0.8A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
