Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA PanJit Semiconductor
Prekės kodas: PJMD900N60EC-L2
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA PanJit Semiconductor
Specifikacijos
SKU
U-3139354
Prekės kodas
PJMD900N60EC-L2
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA
Tiekėjo specifikacijos
Product code
PJMD900N60EC-L2
Supplier's product code
PJMD900N60EC-L2
Product ID
U-3139354
Case
TO252AA
Drain current
5A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
8.8nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
0.9Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
47.5W
Pulsed drain current
9.7A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
