Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 9.2A; 35W ROHM SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: SCT2H12NZGC11
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 9.2A; 35W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SCT2H12NZGC11
Case
TO3PFM
Drain current
3.7A
Drain-source voltage
1.7kV
Gate charge
14nC
Gate-source voltage
-6...22V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
1.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
35W
Pulsed drain current
9.2A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
SCT2H12NZGC11
Product ID
U-2966375
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
